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MBR1030	文件：509.74 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •EpoxyMeetsUL9	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：518.21 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MBR1030	文件：87.81 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR1030	文件：498.6 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •EpoxyMeetsUL9	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：377.07 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ReverseVoltage-20to200Volts ForwardCurrent-10.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
MBR1030	文件：226.2 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapability，LowForwardVoltageDrop •PlasticMaterial：ULFlammability •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperforma	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR1030	文件：141.83 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR1030	文件：498.63 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：428.76 Kbytes Page：2 Pages	10ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：381.89 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to200Volts ForwardCurrent-10.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS

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详细参数

型号：
MAX1030BEEG-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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