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PBSS5350D	文件：999.14 Kbytes Page：9 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgenera	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350D-Q	文件：219.55 Kbytes Page：9 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS	文件：283.44 Kbytes Page：14 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS-Q	文件：284.65 Kbytes Page：14 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersatura	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350S	文件：74.76 Kbytes Page：8 Pages	Highpowerdissipation(830mW) DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat g	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350SS	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350SS	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350SS	文件：701.01 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350T	文件：86.2 Kbytes Page：10 Pages	50V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedheatge	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
MAN5350
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > 显示器模块 - LED 字符与数字
包装：
管件
字符数：
1
大小 / 尺寸：
0.689" 高 x 0.482" 宽 x 0.276" 直径（17.50mm x 12.25mm x 7.00mm）
数字/字母大小：
0.51"（13.00mm）
显示类型：
7 段
通用引脚：
共阳极
颜色：
黄色
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.4V
电流 - 测试：
20mA
毫烛光等级：
1.2mcd
波长 - 峰值：
585nm
功率耗散（最大值）：
600mW
封装/外壳：
10-DIP（0.600"，15.24mm）
描述：
DISPLAY 7SEG 0.51\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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