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MJ2955	文件：64.66 Kbytes Page：1 Pages	PNPPLANARSILICONTRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER HighCurrentCapability HighPowerDissipation ComplementarytoMJ3055	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJ2955	文件：167.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,50V,115W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ2955	文件：130.46 Kbytes Page：4 Pages	15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ2955	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ2955	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ2955	文件：92.97 Kbytes Page：7 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJ2955	文件：112.9 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955 ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ2955	文件：112.3 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·ExcellentSafeOperatingArea ·DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=-4A ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.1V(Max)@IC=-4A ·ComplementtoType2N3055 APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ2955	文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJ2955	文件：174.38 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS115WATTS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca

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