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M74HCT10RM13TR	文件：173 Kbytes Page：8 Pages	TRIPLE 3-INPUT NAND GATE DESCRIPTION The M74HCT10 is an high speed CMOS TRIPLE 3-INPUT NAND GATE fabricated with silicon gate C2MOS technology. The internal circuit is composed of 3 stages including buffer output, which enables high noise immunity and stable output. The M74HCT10 is designed to directly interface HSC2MO 文件：173 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M74HCT132B1R	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-14	ST/意法上传：深圳台格电子科技有限公司	ST/意法
M74HCT14RM13TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP14	ST意法半导体上传：深圳市乐创天科技有限公司	ST意法半导体
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详细参数

型号：
M74HCT10RM13
功能描述：
逻辑门 Triple 3-Input NAND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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