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M28W640HCB	文件：1.31035 Mbytes Page：72 Pages	64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
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M28W640HCB70N6F	文件：1.31035 Mbytes Page：72 Pages	64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M28W640HCB70ZB6E	文件：1.31035 Mbytes Page：72 Pages	64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M28W640HCB70ZB6F	文件：1.31035 Mbytes Page：72 Pages	64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M28W640HCB70N6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M28W640HCB70N6F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M28W640HCB70ZB6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M28W640	文件：393.67 Kbytes Page：54 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640Cisa64Mbit(4Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivetheI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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M28W640CT	文件：393.67 Kbytes Page：54 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640Cisa64Mbit(4Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivetheI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640C-ZBT	文件：393.67 Kbytes Page：54 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640Cisa64Mbit(4Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivetheI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640ECB	文件：838.3 Kbytes Page：55 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640ECisa64Mbit(4Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga2.7Vto3.6VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.6VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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M28W640EC-ZBE	文件：838.3 Kbytes Page：55 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640ECisa64Mbit(4Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga2.7Vto3.6VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.6VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640EC-ZBF	文件：838.3 Kbytes Page：55 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640ECisa64Mbit(4Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga2.7Vto3.6VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.6VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640EC-ZBT	文件：838.3 Kbytes Page：55 Pages	64Mbit4Mbx16,BootBlock3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W640ECisa64Mbit(4Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga2.7Vto3.6VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.6VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anopt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640FCB	文件：1.13286 Mbytes Page：55 Pages	64Mbit(4Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640FCB	文件：534.96 Kbytes Page：77 Pages	64Mbit(4Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashmemory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M28W640FCB	文件：1.27457 Mbytes Page：69 Pages	32Mbit(2Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX

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详细参数

型号：
M28W640HCB
制造商：
Micron Technology Inc
功能描述：
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 48-Pin TSOP Tray
功能描述：
TSOP-1 48 12X20 CU - Trays
功能描述：
IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP
制造商：
Micron Technology

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	M28W640HCB70ZB6E	Micron	17+		6200		询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	M28W640HCB70ZB6F	Numonyx-ADIVISIONOFMICRO	2022	ICFLASH64MBIT70NS48TFBGA	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市鹏和科技有限公司	M28W640HCB70N6F	STMICRO	24+	TSOP	5000	只做原装公司现货	询价
深圳中芯器材有限公司	M28W640HCB70N6E	MIC	RoHSCompliant	Tray	792	neworiginal	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	M28W640HCB70N6E	MICRON	22+23+	48-TFSOP	17588	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	M28W640HCB70N6FTR	MicronTechnologyInc.	19+	48-TSOP	56800	只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票!	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	M28W640HCB70N6E	Micron	2020+	TSOP	576	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	M28W640HCB70N6E	MICRON	1508+	TSOP48	13001	只做原厂原装,认准宝芯创配单专家	询价
深圳市昊创电子有限公司	M28W640HCB70N6E	MICRON	1902+	TSOP48	2734	代理品牌	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	M28W640HCB70N6	ST	2017+	TSOP48	5000	原装正品,诚信经营	询价

更多M28W640HCB供应商更新时间2024-6-1 16:00:00

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