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M28W160ECB	文件：860.56 Kbytes Page：50 Pages	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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M28W160ECB100N1	文件：1.29279 Mbytes Page：50 Pages	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe	NUMONYX numonyx
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M28W160ECB100N1E	文件：1.29279 Mbytes Page：50 Pages	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe	NUMONYX numonyx
M28W160ECB100N1F	文件：860.56 Kbytes Page：50 Pages	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
M28W160ECB100N1F	文件：1.29279 Mbytes Page：50 Pages	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe	NUMONYX numonyx
M28W160ECB100N1S	文件：860.56 Kbytes Page：50 Pages	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

技术参数

Speed：
NSRMHz
MT/s：
NSRMTPS
I/O Voltage：
3.0 VOLTS
Operating Temp：
-40C to +85C
Bus Width：
x16
Pin Count：
46-ball
Part Status Code：
Obsolete
Component Config：
1M x16
Dry Pack Qty：
1380
Package Dimension (W x L x H) mm：
6.39 x 6.37 x 1.20
Number of Components：
1
Part Type：
COMPONENT
Package：
TFBGA
Family：
NOR FLASH
Technology：
PARALLEL

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