选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO92 |
12800 |
2023+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
43565 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ONTO-92 |
96000 |
23+ |
一级分销商 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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CentralNA |
4496 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FairchildTO-92 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
8747 |
21+ |
原装现货 优势库存 当天可发货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
90000 |
23+ |
原装原盘 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
1427 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-92 |
68900 |
FAIRCHILD |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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MotorolaN/A |
6800 |
2021+ |
只有原装正品 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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MOt |
30 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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HGFTO-92 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO92 |
90000 |
20+ |
全新原装正品现货/价格合适 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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CENTRAL-中环TO-92-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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ONTO-92 |
3215 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货! |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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FSCTO-92 |
85395 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
MPSA18采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MPSA18图片
MPSA18价格
MPSA18价格:¥0.2073品牌:ON
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MPSA18中文资料Alldatasheet PDF
更多MPSA18功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18 LEADFREE制造商:Central Semiconductor Corp
MPSA18_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
MPSA18_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D26Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 45V NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MPSA18
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
500 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
160MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 45V 0.2A TO92