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深圳市环球伟业电子有限公司

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MC33152DR2G

QFN

28800

21+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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MC33152DR2G

原装NA

35773

23+

1+
:¥0.888

热卖原装进口

深圳市天芯威科技有限公司

1年 留言
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ON(安森美)SOIC-8

25900

23+

新到现货,只有原装

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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ON/安森美N/A

24248

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市科恒伟业电子有限公司

10年 留言
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ONSOP8

9800

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市拓亿芯电子有限公司

10年 留言
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ON/安森美SOP-8

22000

23+

只做进口原装假一罚百

深圳市华瑞顺电子科技有限公司

6年 留言
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ONSOP8

12800

22+

本公司只做原装,特价出售!

深圳市吉中创电子科技有限公司

5年 留言
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ONSEMINA

50000

23+

公司现货原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

1年 留言
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    冯小姐

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ON/安森美SOP

9850

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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SOP8

20438

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专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市豪迈兴电子有限公司

12年 留言
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    李小姐/李先生/陈先生/豪迈兴只有原装!假一罚百!

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    深圳市福田区中航路新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北振兴路华匀大厦1栋315室

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ON(安森美)SOIC-8_150mil

8344

2301+

只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货

深圳市浩宇伟业电子有限公司

12年 留言
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on/

15380

21+

10年磨一剑!

深圳市品优时代科技有限公司

5年 留言
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onsemi/安森美原装封装

62500

22+

品质保证,信誉至上

深圳市振鑫微电子科技有限公司

4年 留言
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    肖先生 张小姐 李先生

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ON(安森美)N/A

589610

23+

新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!

深圳市凯斯宇科技有限公司

9年 留言
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    刘小姐/廖小姐

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    深圳市福田区华强北深纺大厦C座西六楼

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ONSOP8

3000

2022

原厂原装正品,价格超越代理

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

12年 留言
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    曹小姐(专营进口原装!公司现货!)

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ON/安森美SOP-8

15665

23+

原装优势公司现货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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    蔡芷婷

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    深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5楼 501B

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ON/安森美N/A

28516

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市朱博士电子科技有限公司

14年 留言
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ONSEMI原厂封装

50000

22+

原装正品,渠道可追溯

深圳市吉银科技有限公司

1年 留言
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    张小姐

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ON/安森美SOP-8

10649

19+/20+

深圳市纳艾斯科技有限公司

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    深圳市福田区华强北路赛格大厦4010B

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ONSOP

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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MC33152DR2G价格:¥3.5743品牌:ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的MC33152DR2G多少钱,想知道MC33152DR2G价格是多少?参考价:¥3.5743。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MC33152DR2G批发价格及采购报价,MC33152DR2G销售排行榜及行情走势,MC33152DR2G报价。

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MC33152DR2G功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    MC33152DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    6.1V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    36ns,32ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC