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M8050	文件：222.58 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Powerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
M8050	文件：484.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
M8050	文件：331.56 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
M8050	文件：260.72 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
M8050	文件：771.04 Kbytes Page：3 Pages	Powerdissipation TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
M8050	文件：1.11717 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=800mA). ●ComplementaryToM8550. ●ExcellentHFELinearity. ●Hightotalpowerdissipation.(PC=200mW). APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent..	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
M8050	文件：294.76 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=800mA). ●ComplementaryToM8550. ●ExcellentHFELinearity. ●Hightotalpowerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
M8050	文件：201.17 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=800mA). ●ComplementaryToM8550. ●ExcellentHFELinearity. ●Hightotalpowerdissipation.(PC=200mW). APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent..	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
M8050	文件：622.93 Kbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
M8050	文件：816.33 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon FEATURE ●Highcurrentcapacityincompactpackage. IC=1.5A. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:L8050H ●Pb-FreePackageisavailable. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite andControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
M8050	文件：631.68 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors(NPN)	BYTESONIC Bytesonic Electronics Co., Ltd.	BYTESONIC
M8050	文件：371.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
M8050	文件：1.6852 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
M8050	文件：605.53 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplimentarytoM8550CollectorCurrent:IC=0.8A	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
M8050-C	文件：286.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •TO-92Plastic-EncapsulateTransistors •Capableof0.625Watts(Tamb=25°C)ofPowerDissipation. •Collector-current0.8A •Collector-baseVoltage40V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •MarkingCode:Y11 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
M8050-D	文件：286.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •TO-92Plastic-EncapsulateTransistors •Capableof0.625Watts(Tamb=25°C)ofPowerDissipation. •Collector-current0.8A •Collector-baseVoltage40V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •MarkingCode:Y11 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
M8050HQLTIG	文件：378.23 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon FEATURE ●Highcurrentcapacityincompactpackage. IC=1.5A. ●Epitaxialplanartype. ●NPNcomplement:L8050H ●Pb-FreePackageisavailable. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite andControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
M8050S	文件：1.30673 Mbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●PowerDissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
M8050T	文件：64.379 Kbytes Page：1 Pages	40V,0.8ANPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Powerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MAB8050H	文件：1.41364 Mbytes Page：26 Pages	SINGLE-CHIP8-BITMICROCONTROLLER	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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