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MS1226	文件：61.83 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1226isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. Features •30MHz •28VOLTS •IMD=-28dB •POUT=30WATTS •GP=18dBMINIMUM •COMMONE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MS1226	文件：454.5 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1226isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. Features 30MHz 28VOLTS IMD=-28dB POUT=30WATTS GP=18dBMINIMUM CO	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
PB-1226PEAQ	文件：106 Kbytes Page：1 Pages	SalesOutlineDrawing	MSPIMallory Sonalert Products Inc 马洛里马洛里索纳特产品有限公司	MSPI
RN1226	文件：310.5 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications •Highcurrenttype(IC(MAX)=800mA) •Withbuilt-inbiasresistors. •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •LowVCE(sat) •ComplementarytoRN2221~2227	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1226	文件：544.28 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RTI-1226	文件：805.08 Kbytes Page：4 Pages	LowCost,STDBusCompatibleAnalogI/OSubsystems	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
S1226	文件：313.5 Kbytes Page：3 Pages	SiphotodiodeForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Siphotodiode ForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Features ●HighUVsensitivity:QE75(λ=200nm) ●SuppressedIRsensitivity ●Lowdarkcurrent ●Highreliability Applications ●Analyticalequipment ●Opticalmeasurementequipment,etc.	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1226	文件：225.31 Kbytes Page：4 Pages	SIPHOTODIODE Siphotodiode ForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Features ●HighUVsensitivity:QE75(λ=200nm) ●SuppressedIRsensitivity ●Lowdarkcurrent ●Highreliability Applications ●Analyticalequipment ●Opticalmeasurementequipment,etc.	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SW1226	文件：383.41 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY
SW1226	文件：424.95 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY

详细参数

型号：
LT1226C
功能描述：
IC OP-AMP HI-SPD LOW NOISE 8-DIP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
产品培训模块：
Lead(SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program
标准包装：
1
放大器类型：
电流检测
电路数：
1
输出类型：
-
转换速率：
-
增益带宽积：
125kHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
- 电压 -
输入偏移：
100µV 电流 -
电源：
1.1µA 电流 -
输出/通道：
- 电压 -
电源，单路/双路(±)：
-
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
4-WFBGA，CSPBGA
供应商设备封装：
4-UCSP（2x2）
包装：
剪切带(CT)
其它名称：
MAX9634WERS+TCT

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