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M04N60	文件：259.399 Kbytes Page：2 Pages	NChannelMOSFET NChannelMOSFET ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode	STANSON Stanson Technology	STANSON
MCPF04N60	文件：535.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MCU04N60	文件：467.46 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MHF04N60CT	文件：1.33955 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MHU04N60	文件：987.45 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
NDD04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD04N60ZG	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDF04N60Z	文件：319.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDF04N60Z	文件：1.03656 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDF04N60Z	文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NDF04N60ZG	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,2.0Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NDF04N60ZH	文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,2.0Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP04N60Z	文件：372.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP04N60Z	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP04N60ZG	文件：156.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多LSH04N60供应商更新时间2024-9-27 17:16:00

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