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LSD60R290HF

高压超结VDMOS

Lonten

龙腾半导体

MME60R290P

600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.43302 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MME60R290PRH

600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.43302 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MME60R290PRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:332.41 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
LONTEN(龙腾半导体)
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TO-220MF
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更多LSD60R290HF供应商 更新时间2025-11-8 15:01:00