快速硅二极管，具有一流的EMI性能VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 VIF(AVG)   - 3 A - 40 AQRR       - 5 nC - 61 nC

Qspeed™二极管在所有硅二极管中具有最低的QRR值。其恢复特性能提高效率、降低EMI并省去缓冲电路。 特性\r\n·低QRR、低IRRM、低tRR\r\n·可实现高dIF/dt值(1000A/µs)\r\n·软恢复\r\n\r\n优势\r\n·提高效率\r\n·无需缓冲电路\r\n·缩减EMI滤波元件的尺寸和数目\r\n·实现极快速开关;

PI

200 V, 40 A Common-Cathode Diode

General Description This device has the lowest QRR of any 200 V Silicon diode. Its recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers. Applications · AC/DC and DC/DC output rectification · Output and freewheeling diodes · Motor drive circuits · DC-AC inverters

文件：663.62 Kbytes 页数：8 Pages

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY GP 200V 20A TO263AB

PowerIntegrations

村田
0402

村田

上传：深圳市新冠美科技有限公司

Murata
TRAY

MuRata

村田

上传：深圳特瑞杰电子有限公司