LQA20T200C

快速硅二极管，具有一流的EMI性能VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 VIF(AVG)   - 3 A - 40 AQRR       - 5 nC - 61 nC; 特性\r\n·低QRR、低IRRM、低tRR\r\n·可实现高dIF/dt值(1000A/µs)\r\n·软恢复\r\n\r\n优势\r\n·提高效率\r\n·无需缓冲电路\r\n·缩减EMI滤波元件的尺寸和数目\r\n·实现极快速开关;

Qspeed™二极管在所有硅二极管中具有最低的QRR值。其恢复特性能提高效率、降低EMI并省去缓冲电路。

LQA20T200C

200 V, 20 A Common-Cathode Diode

GeneralDescription ThisdevicehasthelowestQRRofany200V Silicondiode.Itsrecoverycharacteristics increaseefficiency,reduceEMIandeliminate snubbers. Applications AC/DCandDC/DCoutputrectification Outputandfreewheelingdiodes Motordrivecircuits DC-ACinverters

LQA20T200C

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

SB20T200L

20.0ASUPERBARRIERRECTIFIER

SL20T200

20.0ASUPERBARRIERRECTIFIER

SL20T200L

20.0ASUPERBARRIERRECTIFIER