快速硅二极管，具有一流的EMI性能VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 VIF(AVG)   - 3 A - 40 AQRR       - 5 nC - 61 nC

Qspeed™二极管在所有硅二极管中具有最低的QRR值。其恢复特性能提高效率、降低EMI并省去缓冲电路。 特性\r\n·低QRR、低IRRM、低tRR\r\n·可实现高dIF/dt值(1000A/µs)\r\n·软恢复\r\n\r\n优势\r\n·提高效率\r\n·无需缓冲电路\r\n·缩减EMI滤波元件的尺寸和数目\r\n·实现极快速开关;

PI

300 V, 12 A Q-Series Common-Cathode Diode

General Description This device has the lowest QRR of any 300 V Silicon diode. Its recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers. Features • Low QRR, Low IRRM, Low tRR • High dIF/dt capable (1000A/µs) • Soft recovery Benefits • Increases efficiency • El

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POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V TO263

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