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LPC660	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660	文件：1.32785 Mbytes Page：24 Pages	LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.32785 Mbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660	文件：603.86 Kbytes Page：17 Pages	Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 文件：603.86 Kbytes 页数：17 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LPC660AIMSLASHNOPB	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660AIM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660AIMSLASHNOPB.A	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660AIM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660AIMSLASHNOPB.B	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660AIM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660AIMXSLASHNOPB	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660AIM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660AIMXSLASHNOPB.A	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660AIM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660AIMXSLASHNOPB.B	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660AIM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660IMSLASHNOPB	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660IM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
0.35
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.11
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
3
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.04
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
42
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.3
Features：
—
Input bias current (Max) (pA)：
20
CMRR (Typ) (dB)：
83
Output current (Typ) (mA)：
21
Architecture：
CMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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