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LP8233DT1AG	文件：701.27 Kbytes Page：5 Pages	丝印：P33；Package：DFN3030-8B；P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology 文件：701.27 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LP8233DT1AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压功率MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC
LP8340ILDX-ADJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	LLP-6	NS 上传：深圳市凯斯宇科技有限公司	NS
LP8555YFQR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DSBGA36	TEXAS INSTRUMENTS 上传：深圳市能创芯电子科技有限公司	TEXAS INSTRUMENTS
LP8556SQ-E00	文件：0 bytes Page：0 Pages	WQFN-24	TI/德州仪器上传：深圳市昊希电子有限公司	TI/德州仪器

技术参数

VDSS (V)：
20
VGS(V)：
12
ID (A) @TA：
18
VGSth Min (V)：
0.5
td(on) (ns)：
20
td(off) (ns)：
238
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
8.5
VGS/IDS (V)/(A)：
4.5/14
Package：
DFN3030-8B
Polarity：
P-Channel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LP8233DT1AG供应商更新时间2026-1-30 11:00:00

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