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LNA4905L	文件：21.02 Kbytes Page：1 Pages	GaAs Infrared Light Emitting Diode GaAlAsInfraredLightEmittingDiode Foropticalcontrolsystems ■Features ●High-poweroutput,high-efficiency:PO=15mW(min.) ●Fastresponseandhigh-speedmodulationcapability:fC=30MHz(typ.) ●Transparentepoxyresinpackage	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
LNA4905L	文件：298.91 Kbytes Page：3 Pages	GaAlAs Infrared Light Emitting Diode	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
LNA4905L	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 880NM 100MA	Panasonic Electronic Components Panasonic Electronic Components	Panasonic Electronic Components
LNA4905L_08	文件：298.91 Kbytes Page：3 Pages	GaAlAs Infrared Light Emitting Diode	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
4905	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4905	文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages	VHBTape-SpecialtyTapes	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
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AUIRF4905	文件：277.63 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF4905	文件：352.97 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPlanarTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF4905L	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	AdvancedPlanarTechnologyP-ChannelMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF4905L	文件：621.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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AUIRF4905S	文件：621.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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AUIRF4905STRR	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	AdvancedPlanarTechnologyP-ChannelMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFI4905	文件：304.21 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPlanarTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CDLL4905	文件：68.36 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •12.8VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWNOISE •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
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CO4905	文件：161.86 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCLOCKOSCILLATORS	RALTRONRaltron Electronics Corporation 拉隆	RALTRON
EF4905NMO	文件：503.92 Kbytes Page：3 Pages	AllNMOmountantennaslistedinthiscatalogsectionrequiretheNMOHF-style	pulse Pulse Electronics	pulse

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产品属性

产品编号：
LNA4905L
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
托盘
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
波长：
880nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.7V
视角：
30°
工作温度：
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
描述：
EMITTER IR 880NM 100MA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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