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LMX2316TMX	文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages	PLLatinum??LowPowerFrequencySynthesizerforRFPersonalCommunications	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LZ2316AR	文件：106.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-power-supply(5V/12V)Operation1/3-typeCCDAreaSensorswith270kPixels DESCRIPTION TheLZ2315A/LZ2316ARare1/3-type(6.0mm)solid-stateimagesensorsthatconsistofPNphotodiodesandCCDs(charge-coupleddevices)drivenbydual-power-supply.Withapproximately270000pixels(542horizontalx492vertical),thesensorprovidesastablehigh-resolutioncolor(	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
MAX2316	文件：251.88 Kbytes Page：22 Pages	CDMAIFVGAsandI/QDemodulatorswithVCOandSynthesizer	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX2316EEI	文件：251.88 Kbytes Page：22 Pages	CDMAIFVGAsandI/QDemodulatorswithVCOandSynthesizer	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX2316EEI	文件：342.95 Kbytes Page：22 Pages	CDMAIFVGAsandI/QDemodulatorswithVCOandSynthesizer GeneralDescription TheMAX2310/MAX2312/MAX2314/MAX2316areIFreceiversdesignedfordual-band,dual-mode,andsingle-modeN-CDMAandW-CDMAcellularphonesystems.Thesignalpathconsistsofavariablegainamplifier(VGA)andI/Qdemodulator.Thedevicesfeatureguaranteed+2.7Voperation,a	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
ME2316	文件：487.47 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MP2316	文件：1.79375 Mbytes Page：25 Pages	19V,3A,40uAIQ,High-EfficiencyConstantOn-Time(COT)Step-DownConverterin2x3mmQFNPackage	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP2316GD	文件：883.87 Kbytes Page：9 Pages	3A,19V,Constant-On-TimeStep-DownSwitcherEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP2316GD	文件：1.79375 Mbytes Page：25 Pages	19V,3A,40uAIQ,High-EfficiencyConstantOn-Time(COT)Step-DownConverterin2x3mmQFNPackage	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MTBL2316-G	文件：145.19 Kbytes Page：1 Pages	MarktechSideViewCOB35.2x25.0mmBacklighter	Marktech Marktech Corporate	Marktech
NJ2316	文件：1.79341 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NTE2316	文件：24.67 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorFastSwitchingPowerDarlington Description: TheNTE2317isanNPNtransistorinamonolithicDarlingtonconfigurationmountedinaTO218typepackagedesignedforuseinautomotiveignitionapplicationsandinvertercircuitsformotorcontrols. Applications: •AutomotiveIgnitionApplications •InvertCircuitsfor	NTE NTE Electronics	NTE
OPA2316	文件：2.76311 Mbytes Page：48 Pages	10-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2316	文件：2.21136 Mbytes Page：39 Pages	10-MHz,Rail-to-RailInput/Output,Low-Voltage,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2316	文件：2.64906 Mbytes Page：46 Pages	OPAx31610-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA2316ID	文件：2.76311 Mbytes Page：48 Pages	10-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2316IDGK	文件：2.76311 Mbytes Page：48 Pages	10-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2316IDGKR	文件：2.76311 Mbytes Page：48 Pages	10-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2316IDR	文件：2.76311 Mbytes Page：48 Pages	10-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2316IDRGR	文件：2.76311 Mbytes Page：48 Pages	10-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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