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LMV831

LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.39112 Mbytes 页数:27 Pages

TI

德州仪器

LMV831

Operational Amplifiers

文件:1.69624 Mbytes 页数:37 Pages

TI

德州仪器

LMV831

3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.04694 Mbytes 页数:20 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV831

3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.07316 Mbytes 页数:20 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV831

Single, 5.5-V, 3.3-MHz, 64-mA output current, low noise (12-nV/√Hz) operational amplifier

TI 的 LMV83x 器件是 CMOS 输入、低功耗运算放大器 IC,可提供低输入偏置电流、−40°C 至 125°C 的宽温度范围以及出色的性能,这些特性使其成为稳定可靠的通用器件。此外,LMV83x 具有抗电磁干扰 (EMI) 功能,能够最大程度地降低任何干扰,从而使其成为 EMI 敏感型 应用的理想之选。 \n\n单位增益稳定的 LMV83x 具有 3.3MHz 的带宽,同时每通道仅消耗 0.24mA 的电流。这些器件还对高达 200pF 的电容负载保持稳定。LMV83x 在功耗和空间利用方面具有卓越的性能和经济性。 \n\n该系列器件具有 1mV 的最大输入偏移电压、轨至轨输出级以及 • 除非另有说明,否则 TA = 25°C 时的典型值为 V+ = 3.3V\n• 电源电流(每通道)为 240µA\n• 输入偏置电流为 0.1pA\n• 1.8GHz 时的 EMIRR 为 120dB\n• 压摆率为 2V/µs\n• 输出电流驱动为 30mA\n• 工作环境温度范围为 −40°C 至 125°C;

TI

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LMV831_0810

3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.07316 Mbytes 页数:20 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV831_13

LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened

文件:900.7 Kbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMV831_15

LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.44142 Mbytes 页数:28 Pages

TI

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LMV831_15

Operational Amplifiers

文件:1.69624 Mbytes 页数:37 Pages

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LMV831MG

LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.39112 Mbytes 页数:27 Pages

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技术参数

  • Rail-to-rail:

    In to V-

  • GBW (Typ) (MHz):

    3.3

  • Slew rate (Typ) (V/us):

    2

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV):

    1

  • Iq per channel (Typ) (mA):

    0.25

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz):

    12

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Offset drift (Typ) (uV/C):

    0.5

  • Features:

    EMI Hardened

  • Input bias current (Max) (pA):

    10

  • CMRR (Typ) (dB):

    93

  • Output current (Typ) (mA):

    64

  • Architecture:

    CMOS

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