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LMH6502MT

Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier

文件:941.39 Kbytes 页数:19 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMH6502MT/NOPB

LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier

文件:1.54497 Mbytes 页数:29 Pages

TI

德州仪器

LMH6502MTSLASHNOPB

LMH6502 Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier

文件:1.54497 Mbytes 页数:29 Pages

TI

德州仪器

LMH6502MTX

Wideband, Low Power, Linear-in-dB Variable Gain Amplifier

文件:941.39 Kbytes 页数:19 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

技术参数

  • Number of channels(#):

    11

  • Vs(Min)(V):

    55

  • Vs(Max)(V):

    1212

  • BW @ Acl(MHz):

    130130

  • Gain(Max)(dB):

    4040

  • Slew rate(Typ)(V/us):

    18001800

  • Operating temperature range(C):

    -40 to 85-40 to 85

  • Package Group:

    SOIC

  • Package size:

    mm2

  • 14)14TSSOP:

    32 mm2

  • 14)14SOIC:

    52 mm2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
24+
SOIC|14
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TI德州仪器
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更多LMH6502供应商 更新时间2025-10-3 17:06:00