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NTD6600N	文件：298.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=146mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD6600N	文件：69.79 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET100V,12A,N?묬hannel,LogicLevelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJS6600	文件：535.58 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeMOSFET–ESDProtected Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. ESDProtected2KVHBM LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6600	文件：434.92 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeMOSFET??ESDProtected	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	LMC6600CN	NS/国半	23+	DIP	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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