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LM293AQT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-UFDFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）比较器描述：IC COMPARATOR DUAL 8-UFSON 2X2	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
293	文件：3.17457 Mbytes Page：11 Pages	CylindricalCase,High-CurrentandHigh-VoltageCircuits Designedforfrequenciesrangingfrom100kHzto3MHz, MicaCapacitorTypes291,292,293and294arewellsuited forhigh-currentandhigh-voltagecircuitslikeradiotransmitters. Castincylindricalcases,thesecapacitorsareelectrically equivalenttoMIL-C-5StylesCM75throughCM93 in	CDE Cornell Dubilier Electronics
293A	文件：70.92 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics
293A	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics
293D	文件：401.3 Kbytes Page：22 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技
293D	文件：595.17 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技
293D	文件：160.55 Kbytes Page：13 Pages	SolidTantalumChipCapacitorsTANTAMOUNT,Commercial,SurfaceMount FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetin,standard,tin/leadavailable •Compatiblewith“HighVolume”automaticpickandplaceequipment •MeetsIECspecificationQC300801/US0001andEIA535BAACmechanicalandperformancerequirements •Moisturesensit	VishayVishay Siliconix 威世科技
293D	文件：511.01 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitorsTANTAMOUNT™,MoldedCase,StandardIndustrialGrade FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetinstandard, tin/leadavailable •Compatiblewith“highvolume”automatic pickandplaceequipment •MeetsEIA-535-BAACmechanicaland performancerequirements •QualifiedtoEIA-717 •Moisturesensitivityle	VishayVishay Siliconix 威世科技
293x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AC293	文件：68.61 Kbytes Page：2 Pages	10TO200MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AC293	文件：176.48 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE
ADR293	文件：261.98 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293	文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	UltralowNoise,HighAccuracy	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293-EP	文件：182.99 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293-EPisalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improv	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ER	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ER-REEL	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ERZ	文件：261.97 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ERZ-REEL	文件：261.97 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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产品属性

产品编号：
LM293AQT
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 比较器
包装：
管件
类型：
通用
输出类型：
CMOS，DTL，ECL，MOS，开路集电极，TTL
电压 - 供电，单/双 (±)：
2V ~ 36V，±1V ~ 18V
电流 - 静态（最大值）：
2.5mA
封装/外壳：
8-UFDFN 裸露焊盘
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-UFSON（2x2）
描述：
IC COMPARATOR DUAL 8-UFSON 2X2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	LM293AQT	原装STM	2017+	QFN8	25689	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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