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LLSD103	文件：140.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •FastReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
LLSD103	文件：361.38 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Switching Diode Features ●LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) ●LowReverseRecoveryTime ●LowForwardVoltageDropandLowReverseCapacitance ●GuardRingConstructionforTransientProtection	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
LLSD103	文件：300 bytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
LLSD103	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Switching Diode;	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
LLSD103A	文件：140.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •FastReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
LLSD103A	文件：361.38 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Switching Diode Features ●LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) ●LowReverseRecoveryTime ●LowForwardVoltageDropandLowReverseCapacitance ●GuardRingConstructionforTransientProtection	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
LLSD103A	文件：330.08 Kbytes Page：2 Pages	Schottky barrier switching diode Features ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCapacitance ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
LLSD103A	文件：46.3 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIES SWITCHING DIODES VOLTAGE20to40VoltsCURRENT0.35Amperes FEATURES •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •LowReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
LLSD103B	文件：140.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •FastReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
LLSD103B	文件：361.38 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Switching Diode Features ●LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) ●LowReverseRecoveryTime ●LowForwardVoltageDropandLowReverseCapacitance ●GuardRingConstructionforTransientProtection	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

技术参数

VRRM Max.[V]：
40
IF[A]：
0.35
IFSM[A]：
15
VF@IF Max.[V]：
0.7
VF@IF Max.[mA]：
200
IR@VR Max.[µA]：
5
IR@VR Max.[V]：
30
CJ@VR Typ.[pF]：
50
CJ@VR Typ.[V]：
0
Package：
MINI-MELF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	LLSD103C-TP	MCC	24+	MiniMELF	7500		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	LLSD103B	PHI	23+	SOD80	12300		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	LLSD103B-7	DIODES	2020+	LL34	2200	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市鹏和科技有限公司	LLSD103C-7	DIODES	24+	LL34	5000	只做原装公司现货	询价
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深圳市锦喆鸿电子有限公司	LLSD103C	MCC(美微科)	21+	MINIMELF	12588	原装正品,价格优势	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	LLSD103B-7	DIODES/美台	1942+	LL34	9852	只做原装正品现货或订货!假一赔十!	询价

更多LLSD103供应商更新时间2025-7-28 15:30:00

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