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PTF10019	文件：322.62 Kbytes Page：6 Pages	70Watts,860-960MHzGOLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTF10019isaninternallymatched,70WattLDMOSFETintendedforcellular,GSM,andD-AMPSapplicationsinthe860to960MHzrange.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizationensureexcellentdevicelifetimeandreliability. •INTERNALLYMATCHED •Performanceat	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
PTF10019	文件：43.23 Kbytes Page：1 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIPTF10019isDesignedforCellular,GSM,andD-AMPSapplicarionsfrom860tp960MHz. FEATURES: •70W,860-960MHz •Internallymatched •Omnigold™MetalizationSystem •SiliconNitridePassivated	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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