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LH4105	文件：214.86 Kbytes Page：6 Pages	PRECISION FAST SETTLING HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LH4105C	文件：214.86 Kbytes Page：6 Pages	PRECISION FAST SETTLING HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LH4105CG	文件：214.86 Kbytes Page：6 Pages	PRECISION FAST SETTLING HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LH4105G	文件：214.86 Kbytes Page：6 Pages	PRECISION FAST SETTLING HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
4105	文件：90.94 Kbytes Page：1 Pages	RelampableSocket	VCC Visual Communications Company
ACTR4105	文件：58.89 Kbytes Page：3 Pages	trueone-port,surface-acoustic-wave(SAW)resonator	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术
AN4105	文件：368.51 Kbytes Page：22 Pages	DesignConsiderationsforSwitchedModePowerSuppliesUsingAFairchildPowerSwitch(FPS)inaFlybackConverter Introduction Flybackswitchedmodepowersupplies(SMPS)areamongthemostfrequentlyusedpowercircuitsinhouseholdandconsumerelectronics.ThebasicfunctionofanSMPSistosupplyregulatedpowertotheloadonthesecondary,oroutputside.AnSMPStypicallyincorporatesapowertransfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
AUIRFR4105	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105	文件：4.78457 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
AUIRFR4105	文件：441.74 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105TR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105TRL	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105TRR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105Z	文件：4.67522 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
AUIRFR4105Z	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105Z	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105ZTR	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105ZTRL	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105ZTRL	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR4105ZTRR	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
LH4105
功能描述：
Voltage-Feedback Operational Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	LH4105CG	NSC	22+	TO	2250	100%全新原装公司现货供应!随时可发货	询价
绿盛电子(香港)有限公司	LH4105CG	NSC	2015+	SOP/DIP	19889	一级代理原装现货,特价热卖!	询价
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深圳市鼎欣微电子有限公司	LH4105CG	HARRIS/哈里斯	21+	CAN12	10000	只做正品原装现货	询价
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