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LF442QML	文件：373.48 Kbytes Page：18 Pages	LF442QML Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
442	文件：292.51 Kbytes Page：2 Pages	LinearMotion1/4WattCompositionSlideControls	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
442	文件：379.97 Kbytes Page：1 Pages	WihaQualityTools	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
442L-MDNET	文件：49.65 Kbytes Page：2 Pages	SafetyLightCurtainInterfaces	ALLEN-BRADLEY Allen-Bradley	ALLEN-BRADLEY
442L-SSFZN	文件：104.01 Kbytes Page：4 Pages	SafetyLaserScanner	ALLEN-BRADLEY Allen-Bradley	ALLEN-BRADLEY
ADG442	文件：323.75 Kbytes Page：9 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG442BN	文件：323.75 Kbytes Page：9 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG442BN	文件：394.59 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitchesADG441/ADG442/ADG444 GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG442BR	文件：394.59 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitchesADG441/ADG442/ADG444 GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG442BR	文件：323.75 Kbytes Page：9 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG442BR-REEL	文件：394.59 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitchesADG441/ADG442/ADG444 GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG442BRZ	文件：394.59 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOSQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG441,ADG442,andADG444aremonolithicCMOSdevicesthatcompriseoffourindependentlyselectableswitches.TheyaredesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. FEATURES 44	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM442	文件：138.99 Kbytes Page：9 Pages	STROM-WANDLER-IC	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子	AME
AN442	文件：63.26 Kbytes Page：5 Pages	Theaimofthisnoteistoshowhowtoconnect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AN442	文件：1.14912 Mbytes Page：22 Pages	DESIGNERSGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
AOB442	文件：681.81 Kbytes Page：7 Pages	40VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOB442isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB442	文件：282.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD442	文件：293.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=37A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumL	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD442	文件：1.01357 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=60V,ID=50A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD442	文件：896.87 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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