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NCE6003M	文件：257.26 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Musesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=60V,ID=3.0A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003X	文件：642.2 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XM	文件：675.83 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XY	文件：711.16 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：293.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：503.1 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NFT6003	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NMC-6003	文件：612.67 Kbytes Page：1 Pages	2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features SinglehostNICsolutionbyusingIntelE810-CAM2 Overlaynetworkssupport:VxLAN&NVGRE CPUoffload:TSO,LRO,GRO Jumboframesupport(9.6KB) CompatiblewithFWA-5070,FWA-6070Platform	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
NMC-6003L	文件：580.17 Kbytes Page：1 Pages	1or2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features 1xIntelE810-CAM1orE810-CAM2 1or2portsQSFP28connector 1xPCIex8,Gen4 CE/FCC,RoHScompliant	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
NTE6003	文件：34.9 Kbytes Page：3 Pages	NTE5906,NTE5907,NTE5980thruNTE6005SiliconPowerRectifierDiode,40Amp SiliconPowerRectifierDiode,40Amp Features: HighSurgeCurrentCapability HighVoltageAvailable DesignedforaWideRangeofApplications AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle	NTE NTE Electronics	NTE

详细参数

型号：
LDS6003NQGI
功能描述：
IC SENSOR TCH PURETOUCH 28VFQFPN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 数据采集 - 触摸屏控制器
系列：
PureTouch™
标准包装：
96
系列：
-
类型：
-
触摸面板接口：
-
输入数/键：
-
分辨率（位）：
-
评估套件：
*
数据接口：
-
数据速率/采样率(SPS，BPS)：
-
电压基准：
-
电源电压：
- 电流 -
电源：
-
工作温度：
-
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商设备封装：
16-TSSOP
包装：
带卷(TR)

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