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LDD-A4302RD	文件：59.26 Kbytes Page：1 Pages	0.43 SEVEN SEGMENT, DUAL DIGIT DISPLAY	Lumex LUMEX INC.	Lumex
LDD-A4302RI	文件：60.37 Kbytes Page：1 Pages	0.43SEVENSECMENT,DAULDICITDISPLAY	Lumex LUMEX INC.	Lumex
LDD-C4302RI	文件：92.86 Kbytes Page：1 Pages	565nmGREEN,GRAYFACEW/WHITESGMTS	Lumex LUMEX INC.	Lumex
LNK4302S	文件：1.42988 Mbytes Page：22 Pages	Energy-Efficient,AccuratePrimary-SideRegulatedCV/CCSwitcherforAdaptersandChargers DramaticallySimplifiesCV/CCConverters •EliminatesoptocouplerandallsecondaryCV/CCcontrolcircuitry •Eliminatesallcontrolloopcompensationcircuitry AdvancedPerformanceFeatures •DynamicbasedrivetechnologyprovidesflexibilityinchoiceofBJT transistorbydynamicallyoptimi	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
LNK4302S-TL	文件：1.42988 Mbytes Page：22 Pages	Energy-Efficient,AccuratePrimary-SideRegulatedCV/CCSwitcherforAdaptersandChargers DramaticallySimplifiesCV/CCConverters •EliminatesoptocouplerandallsecondaryCV/CCcontrolcircuitry •Eliminatesallcontrolloopcompensationcircuitry AdvancedPerformanceFeatures •DynamicbasedrivetechnologyprovidesflexibilityinchoiceofBJT transistorbydynamicallyoptimi	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
MJL4302A	文件：64.099 Kbytes Page：5 Pages	15AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS350VOLTS,230WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJL4302A	文件：55.72 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors MJL4281A(NPN) MJL4302A(PNP) 15AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS350VOLTS,230WATTS TheMJL4281AandMJL4302AarePowerBasepowertransistorsforhighpoweraudio. Features •350VCollector−EmitterSustainingVoltage •GainComplementary: GainLinear	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJL4302A	文件：102.85 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryNPN-PNSiliconPowerBipolarTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJL4302A	文件：267.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=-350V(Min) ·HighDCCurrentGain :hFE=25Min@IC=-8Adc ·ComplementtoTypeMJL4281A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·PerforatedEmittertechnology ·H	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJL4302AG	文件：102.85 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryNPN-PNSiliconPowerBipolarTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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