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L6569D集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

L6569D

参数属性

L6569D 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

功能描述

HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

110.18 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-8 21:43:00

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L6569D规格书详情

L6569D属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由意法半导体集团制造生产的L6569D栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

DESCRIPTION

The device is a high voltage half bridge driver with built in oscillator. The frequency of the oscillator can be programmed using external resistor and capacitor. The internal circuitry of the device allows it to be driven also by external logic signal.

The output drivers are designed to drive external n channel power MOSFET and IGBT. The internal logic assures a dead time [typ. 1.25µs] to avoid cross conduction of the power devices.

Two version are available: L6569 and L6569A. They differ in the low voltage gate driver start up sequence.

■ HIGH VOLTAGE RAIL UP TO 600V

■ BCD OFF LINE TECHNOLOGY

■ INTERNAL BOOTSTRAP DIODE STRUCTURE

■ 15.6V ZENER CLAMP ON VS

■ DRIVER CURRENT CAPABILITY:

- SINK CURRENT = 270mA

- SOURCE CURRENT = 170mA

■ VERY LOW START UP CURRENT: 150µA

■ UNDER VOLTAGE LOCKOUT WITH HYSTERESIS

■ PROGRAMMABLE OSCILLATOR FREQUENCY

■ DEAD TIME 1.25µs

■ dV/dt IMMUNITY UP TO ±50V/ns

■ ESD PROTECTION

产品属性

更多
  • 产品编号:

    L6569D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 16.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    170mA,270mA

  • 输入类型:

    RC 输入电路

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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