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L6494LTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
6494	文件：115.89 Kbytes Page：1 Pages	ModularPassiveOscilloscopeProbew/RO FEATURES: •ModularOscilloscopeProbesfeatureareplaceablecable •Asetofaccessoriesisincludedwitheachprobe(springinselectkitsonly) •AsaminimumallprobesmeetIEC1010-2-031,300V,CATII.	POMONA Pomona Electronics
AN6494NSA	文件：66.81 Kbytes Page：6 Pages	DigitalCommunicationOrthogonalModulatorIC	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
L6494	文件：451.51 Kbytes Page：18 Pages	Highvoltagehighandlow-side2Agatedriver Features Transientwithstandvoltage600V dV/dtimmunity±50V/nsinfulltemperature range Drivercurrentcapability: –2Asourcetyp.at25°C –2.5Asinktyp.at25°C Shortpropagationdelay:85ns Switchingtimes25nsrise/fallwith1nFload Integratedbootstrapdio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6494LD	文件：451.51 Kbytes Page：18 Pages	Highvoltagehighandlow-side2Agatedriver Features Transientwithstandvoltage600V dV/dtimmunity±50V/nsinfulltemperature range Drivercurrentcapability: –2Asourcetyp.at25°C –2.5Asinktyp.at25°C Shortpropagationdelay:85ns Switchingtimes25nsrise/fallwith1nFload Integratedbootstrapdio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6494LDTR	文件：451.51 Kbytes Page：18 Pages	Highvoltagehighandlow-side2Agatedriver Features Transientwithstandvoltage600V dV/dtimmunity±50V/nsinfulltemperature range Drivercurrentcapability: –2Asourcetyp.at25°C –2.5Asinktyp.at25°C Shortpropagationdelay:85ns Switchingtimes25nsrise/fallwith1nFload Integratedbootstrapdio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
LMC6494	文件：705.68 Kbytes Page：18 Pages	CMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6494AEM	文件：705.68 Kbytes Page：18 Pages	CMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6494AEM	文件：1.65533 Mbytes Page：28 Pages	LMC6492Dual/LMC6494QuadCMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LMC6494AEM/NOPB	文件：1.65533 Mbytes Page：28 Pages	LMC6492Dual/LMC6494QuadCMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LMC6494AEMX	文件：705.68 Kbytes Page：18 Pages	CMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6494AEMX/NOPB	文件：1.65533 Mbytes Page：28 Pages	LMC6492Dual/LMC6494QuadCMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LMC6494AEN	文件：705.68 Kbytes Page：18 Pages	CMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6494BEM	文件：1.65533 Mbytes Page：28 Pages	LMC6492Dual/LMC6494QuadCMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LMC6494BEM	文件：705.68 Kbytes Page：18 Pages	CMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LMC6494BEM/NOPB	文件：1.65533 Mbytes Page：28 Pages	LMC6492Dual/LMC6494QuadCMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
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LMC6494BEN	文件：705.68 Kbytes Page：18 Pages	CMOSRail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司

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产品属性

产品编号：
L6494LTR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.45V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2.5A
输入类型：
CMOS/TTL
上升/下降时间（典型值）：
25ns，25ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	L6494LTR	STMicroelectronics	23+	14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	28293	英飞凌电源管理芯片-原装正品	询价
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更多L6494LTR供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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