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KU3600N10WZ中文资料KEC数据手册PDF规格书

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厂商型号

KU3600N10WZ

功能描述

N CHANNEL TRENCH MOS FIELD

文件大小

1.04794 Mbytes

页面数量

6

生产厂商

KEC KEC(Korea Electronics)

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更新时间

2025-11-14 10:31:00

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KU3600N10WZ规格书详情

General Description

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and DC/DC Converters.

FEATURES

• VDSS(Min.)= 100V, ID= 1.7A

• Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=0.36 Ω (max) @VGS =10V

• Qg(typ.) =4.5nC

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