KST10MTF分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
KST10MTF |
| 参数属性 | KST10MTF 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
174.96 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-14 23:00:00 |
| 人工找货 | KST10MTF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
KST10MTF规格书详情
KST10MTF属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体制造生产的KST10MTF晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
特性 Features
• VHF / UHF Transistor
• This is a Pb−Free Device
产品属性
更多- 产品编号：
KST10MTF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
3022 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
12000 |
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FSC |
2016+ |
SOT23 |
3000 |
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FSC |
23+ |
SOT-23 |
20000 |
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24+ |
SOT23 |
80000 |
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FAIRCHILD |
1009+ |
SOT-23 |
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25+ |
SOT-23 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
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SOT-23 |
23+ |
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