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KSM5N90	文件：1.9567 Mbytes Page：7 Pages	900V N-Channel MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
5N90	文件：171.17 Kbytes Page：6 Pages	5Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N90isaN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulse	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
5N90	文件：190.18 Kbytes Page：5 Pages	5A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
5N90	文件：68.01 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed •DESCRIPTION •DrainCurrentID=5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=900V(Min) •FastSwitchingSpeed •APPLICATIONS •Generalpurposepoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
5N90	文件：397.64 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell5N90isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof5A,fastswitchi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
FQA5N90	文件：619 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA5N90	文件：363.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQAF5N90	文件：660.53 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5N90	文件：709.91 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5N90	文件：682.04 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5N90	文件：785.82 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET900V,5.4A,2.3廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5N90	文件：387.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB5N90TM	文件：785.82 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET900V,5.4A,2.3廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5N90	文件：709.91 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5N90	文件：682.04 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP5N90	文件：676.4 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF5N90	文件：665.37 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF5N90	文件：306.97 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
HM5N90	文件：1.12366 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HMS5N90I	文件：975.97 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	KSM601	SAMSUNG	2017+	DIP	25689	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	KSM601			DIP	17		询价
深圳市鹏和科技有限公司	KSM601	SAMSUNG	2022+	DIP30	5000	全现原装公司现货	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	KSM601	SAMSANG	19+	DIP30	256800	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	KSM601		23+	N/A	90250	正品授权货源可靠	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	KSM601	SEC	23+	DIP30	4500	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市胜彬电子有限公司	KSM601	SAMSUNG	22+	DIP30	8000	原装正品支持实单	询价
深圳兆威电子有限公司	KSM-602LU2S	N/A	23+	原厂封装	90000	一定原装正品	询价
深圳市艾宇特电子科技有限公司	KSM-602LU2S	N/A	2102+		6854	只做原厂原装正品假一赔十!	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	KSM-602LU2S		2010+		53950	普通	询价

更多KSM5N90供应商更新时间2024-4-26 17:20:00

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