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KSH32	文件：55.39 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP32andTIP32C	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH32	文件：296.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH32	文件：277.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH32-251	文件：296.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH32-252	文件：277.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH32C	文件：55.39 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP32andTIP32C	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH32C	文件：296.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH32C	文件：277.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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KSH32C-252	文件：277.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
KSH32
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

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