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KSH32	文件：296.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32	文件：277.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32	文件：55.39 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C 文件：55.39 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH32-251	文件：296.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32-252	文件：277.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C	文件：296.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C	文件：277.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C	文件：55.39 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C 文件：55.39 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH32C-251	文件：296.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：296.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH32C-252	文件：277.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.2V(Max) @IC= -3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：277.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

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