KSD1222中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
厂商型号 |
KSD1222 |
参数属性 | KSD1222 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 40V 3A IPAK |
功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
文件大小 |
295.82 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-27 16:34:00 |
KSD1222规格书详情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 40V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 2A
· Complement to KSB907
APPLICATIONS
· Low frequency amplifier
产品属性
- 产品编号:
KSD1222TU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 4mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 3A,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:
I-PAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 40V 3A IPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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