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KSD1222中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

KSD1222
厂商型号

KSD1222

参数属性

KSD1222 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 40V 3A IPAK

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

295.82 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 16:34:00

KSD1222规格书详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 40V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 2A

· Complement to KSB907

APPLICATIONS

· Low frequency amplifier

产品属性

  • 产品编号:

    KSD1222TU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 4mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 40V 3A IPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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