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KSC838CYBU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSC838CYTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
838	文件：14.54 Kbytes Page：2 Pages	WeatherResistantFilmTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
838B	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AC838	文件：174.76 Kbytes Page：2 Pages	10TO800MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
AC838	文件：105.81 Kbytes Page：2 Pages	10TO800MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AN838	文件：991.09 Kbytes Page：4 Pages	NANOPOWERCIRCUITDESIGNINLOW-FREQUENCYSENSORAPPLICATIONS	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
BCL-838-WP	文件：178.04 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor8AWGWire,StudSize3/8,Un-platedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-838-WP-PL	文件：178.48 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor8AWGWire,StudSize3/8,Plated,WidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-838-XWP	文件：178.05 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor8AWGWire,StudSize3/8,Un-platedExtraWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-838-XWP-PL	文件：271.53 Kbytes Page：4 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
CMX838	文件：30.04 Kbytes Page：2 Pages	TheProductDataAmendmentseriesofdocuments	CMLMICROCML Microcircuits CML公司	CMLMICRO
DC-838	文件：202.16 Kbytes Page：1 Pages	5WATTSINGLEANDDUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
DN838	文件：220.37 Kbytes Page：5 Pages	HALLIC(SWITCHTYPE)	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
FDR838P	文件：204.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription TheseP-Channel2.5VspecifiedMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •-8A,-20V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSE838	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	ExtraLowCapacitanceLatch-upTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FSE838AT	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	ExtraLowCapacitanceLatch-upTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FSE838CT	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	ExtraLowCapacitanceLatch-upTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FT838D	文件：375.13 Kbytes Page：10 Pages	FT838D	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
FT838MBD	文件：413.73 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencyOff-LineCC/CVSwitch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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产品属性

产品编号：
KSC838CYBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，12V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	KSC838CYBU	FAIRCHILD	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	KSC838CYBU	ON Semiconductor	2022+	TO-92-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	KSC838CYBU	onsemi	24+	TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多KSC838CY供应商更新时间2024-4-30 14:30:00

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