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LR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：496.49 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LR024N	文件：1.04325 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LR024N	文件：304.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：328.44 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-ResistanceFullyAvalancheRated Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：785.8 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
LU024	文件：960.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024N	文件：960.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024Z	文件：960.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LUC-024SXXXDSP	文件：476.35 Kbytes Page：10 Pages	24WConstantCurrentIP20Driver Features 0-10VDimmable(CompatiblewithPassiveDimmers) ConstantCurrentOutput HighEfficiency ActivePowerFactorCorrection All-AroundProtection:OVP,SCPandOpenLamp Protection Class2&SELVOutput	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
KP024J
制造商：
EUDYNA
制造商全称：
Eudyna Devices Inc
功能描述：
1.5W GaAs Power FET(Pb-Free Type)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	KP024J	EUDYNA	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市博浩通科技有限公司	KP02HF2C	ST	23+	DIP16	3000	优势库存	询价
深圳市赛美科科技有限公司	KP03-48P-2DSA	HIROSE		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
上海市鑫鸿达电子	KP03-48P-2DSA(4.2)	HRS/广濑	2022+		3900	全新原装货期两周	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	KP03-50P-2ASA(7)	HRS/广濑	24+	NA	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市芯诚实创科技有限公司	KP0452	COSMO	2022	SOP4	3000	全新原装现货热卖	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	KP0468-1		24+	DIP14	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
深圳市骏创达科技有限公司	KP-052514	JST/日压	2508+	/	473077	一级代理，原装现货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	KP053-M7DP	SHARP	22+	DIP40	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	KP07322	恩XP	25+	QFP	3386	品牌专业分销商,可以零售	询价

更多KP024J供应商更新时间2025-7-18 17:56:00

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