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KGF6N05D | N-Channel 5.5V Dual Power MOSFET 文件:453.88 Kbytes 页数:8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
丝印:T;Package:20BumpWLCSP;N-Channel 5.5V Dual Power MOSFET 文件:453.88 Kbytes 页数:8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
IC MOSFET N-CH | Renesas 瑞萨 | Renesas | ||
High Speed Switching Applications 文件:153.9 Kbytes 页数:5 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 1.2 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) • Low gate threshold voltage 文件:149.68 Kbytes 页数:5 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA |
技术参数
- FET 功能:
标准
- 漏源电压(Vdss):
5.5V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
12A(Ta)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
3 毫欧 @ 6A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
0.9V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
4nC @ 3.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
630pF @ 5.5V
- 功率 - 最大值:
2.5W (Ta)
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
20-UFLGA,CSP
- 供应商器件封装:
20-WLCSP(2.48x1.17)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics America In |
2022+ |
20-WLCSP(2.48x1.17) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
25+ |
20-UFLGA CSP |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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KEC |
19+ |
9000 |
只做原装正品 |
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KEC |
24+ |
9000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
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TO-247 |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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KEC |
24+ |
TO-247 |
35400 |
KEC稳定渠道,全系列在售 |
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KEC |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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KEC |
TO-247 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
KEC |
23+ |
TO-247 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
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