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KGF6N05D

N-Channel 5.5V Dual Power MOSFET

文件:453.88 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

KGF6N05D-400

丝印:T;Package:20BumpWLCSP;N-Channel 5.5V Dual Power MOSFET

文件:453.88 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

KGF6N05D-400

IC MOSFET N-CH

Renesas

瑞萨

SSM6N05FU

High Speed Switching Applications

文件:153.9 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6N05FU

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 1.2 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) • Low gate threshold voltage

文件:149.68 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

技术参数

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    5.5V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    12A(Ta)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    3 毫欧 @ 6A,4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    0.9V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    4nC @ 3.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    630pF @ 5.5V

  • 功率 - 最大值:

    2.5W (Ta)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    20-UFLGA,CSP

  • 供应商器件封装:

    20-WLCSP(2.48x1.17)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多KGF6N05D供应商 更新时间2025-10-21 15:01:00