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KA22211	文件：135.84 Kbytes Page：6 Pages	DUAL LOW NOISE EQ AMP INTRODUCTION TheKA22211isamonolithicintegratedcircuitconsistingofa2-channelpre-amplifierinan8-pinplasticsinglein-linepackage. FEATURES •Recommendedoperatingsupplyvoltagerange:VCC=5V~14V •Lownoise(VNI=1.0μV:Typ) •Highchannelseparation •Minimumnumberof	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
MAX22211	文件：548.57 Kbytes Page：24 Pages	36V,3.8ATwoH-BridgeforDualBrushedorSingleStepperMotorDrive GeneralDescription TheMAX22211isadual36V,3.8AMAXH-bridge.Itcan beusedtodrivetwobrushedDCmotorsorasinglestepper motor.TheH-bridgeFETshaveverylowimpedance resultinginhighdrivingefficiencyandlowheatgeneration. ThetypicaltotalRON(high-side+low-side)is0.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
MAX22211ATJ+T	文件：548.57 Kbytes Page：24 Pages	36V,3.8ATwoH-BridgeforDualBrushedorSingleStepperMotorDrive GeneralDescription TheMAX22211isadual36V,3.8AMAXH-bridge.Itcan beusedtodrivetwobrushedDCmotorsorasinglestepper motor.TheH-bridgeFETshaveverylowimpedance resultinginhighdrivingefficiencyandlowheatgeneration. ThetypicaltotalRON(high-side+low-side)is0.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
MAX22211AUI+T	文件：548.57 Kbytes Page：24 Pages	36V,3.8ATwoH-BridgeforDualBrushedorSingleStepperMotorDrive GeneralDescription TheMAX22211isadual36V,3.8AMAXH-bridge.Itcan beusedtodrivetwobrushedDCmotorsorasinglestepper motor.TheH-bridgeFETshaveverylowimpedance resultinginhighdrivingefficiencyandlowheatgeneration. ThetypicaltotalRON(high-side+low-side)is0.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

详细参数

型号：
KA22211
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
DUAL LOW NOISE EQ AMP

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