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K4B4G1646B	文件：1.00226 Mbytes Page：64 Pages	4GbB-dieDDR3SDRAMOlnyx16 The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4B4G1646B-HCMA	文件：1.00226 Mbytes Page：64 Pages	4GbB-dieDDR3SDRAMOlnyx16 The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4B4G1646D-BC	文件：4.63909 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4B4G1646E	文件：1.98169 Mbytes Page：71 Pages	4GbE-dieDDR3LSDRAM	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4B4G1646E-BYMA	文件：1.98169 Mbytes Page：71 Pages	4GbE-dieDDR3LSDRAM	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4B4G1646Q	文件：522.69 Kbytes Page：65 Pages	4GbQ-dieDDR3LSDRAMOlnyx1696FBGAwithLead-Free&Halogen-Free(RoHScompliant)1.35V	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4B4G1646Q-HC	文件：4.63909 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

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更多K4B4G1646E-BCMA供应商更新时间2022-10-9 9:39:00

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