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K4A60DA中文资料东芝数据手册PDF规格书

K4A60DA
厂商型号

K4A60DA

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

文件大小

206.39 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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K4A60DA规格书详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 2.2 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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