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K2611	文件：632.59 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel MOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司
K2611B	文件：1.00895 Mbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel MOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司
K2611B	文件：288.57 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司
K2611B_14	文件：288.57 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司
K2611S	文件：581.25 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel MOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司
K2611SB	文件：703.95 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel MOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司
2611	文件：142.63 Kbytes Page：2 Pages	SMDRFManualTunableInductor	YANTELYantel Corporation 研通高频深圳市研通高频技术有限公司
2611A	文件：49.68 Kbytes Page：4 Pages	2611ABroadbandPhotodiodeModule Description The2611Aisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetocontrolofpa	agere 杰尔
2611A	文件：874.95 Kbytes Page：4 Pages	BroadbandPhotodiodeModule 2611ABroadbandPhotodiodeModule The2609Cisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiberopticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuits	EMCORE Emcore Corporation
2611B	文件：1.32755 Mbytes Page：35 Pages	2600BSystemSourceMeterSMUInstruments	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司
2611B	文件：2.05776 Mbytes Page：36 Pages	2600BSystemSourceMeter®SMUInstruments KeyFeatures •Tightlyintegrated,4-quadrantvoltage/current sourceandmeasureinstrumentsofferbestinclass performancewith6½-digitresolution •Familyofmodelsofferindustry’swidestdynamic range:10Apulseto0.1fAand200Vto100nV •Built-inwebbrowserbasedsoftwareenabl	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司
AP2611GY-HF	文件：64.06 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP2611GYT-HF	文件：56.63 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
BU2611A	文件：73.2 Kbytes Page：4 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners TheBU2611PLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband.Theyfeaturebuilt-inRFampswithlowpowerdissipationandhighsensitivity. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)InadditiontothereferenceFMandAM,alsooffersthefollowing7frequencies:	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BU2611AF	文件：73.2 Kbytes Page：4 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners TheBU2611PLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband.Theyfeaturebuilt-inRFampswithlowpowerdissipationandhighsensitivity. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)InadditiontothereferenceFMandAM,alsooffersthefollowing7frequencies:	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BU2611AFS	文件：73.2 Kbytes Page：4 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners TheBU2611PLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband.Theyfeaturebuilt-inRFampswithlowpowerdissipationandhighsensitivity. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)InadditiontothereferenceFMandAM,alsooffersthefollowing7frequencies:	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
C2611	文件：211.18 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.75W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
C2611	文件：288.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
C2611	文件：246.58 Kbytes Page：2 Pages	NPNPowerTransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
C2611	文件：67.29 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

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详细参数

型号：
K2611
制造商：
WINSEMI
制造商全称：
WINSEMI
功能描述：
Silicon N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特瑞斯科技有限公司	K2611	TOSHIBA	23+	TO-3P	12600	一级分销商	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	K2611	TOS	08+(pbfree)	TO-3P-3	8866		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	K2611	VTOS	23+	TO-3P	5500	现货,全新原装	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	K2611	TOS	23+	模块	18000		询价
深圳好佳好科技有限公司	K2611	TOS	1436+	TO-3P	30000	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	K2611	TOSHIBA	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	K2611	VTOS	23+	TO-3P	9960	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	K2611	TOS	19+	TO-3P	75982	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	K2611		2020+	TO3P	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
上海意淼电子科技有限公司	K2611	TOS	23+	NA	6500	全新原装假一赔十	询价

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