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K20A60U	文件：184.91 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=12S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K20A60W	文件：248.86 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
KCU20A60	文件：125.72 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NI National Instruments Inc.	NI
KCU20A60	文件：45.19 Kbytes Page：5 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES SimilartoTO-247ACCase DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
MBR20A60CTH	文件：133.31 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
MBR20A60FCTH	文件：133.31 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
SBL20A60	文件：217.56 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60-C	文件：217.56 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60F	文件：248.99 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBL20A60F	文件：248.99 Kbytes Page：2 Pages	LowVFPlanarMOSBarrierSchottkyRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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更多K20A60T供应商更新时间2025-5-19 15:00:00

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