K10A50D中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	K10A50D
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
文件大小	205.01 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社东芝官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-7-31 23:00:00
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Official Site : http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.62 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 5.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)

• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

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