选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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350 |
2016 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-220F-3 |
40 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FSCTO-220F |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-220F |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-220F |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FAIRCTO-220F |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220F |
150 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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FAIRCTO-220F |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220F |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FAIRCHITO-220F |
2950 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-220F-3 |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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KSD2012图片
KSD2012GTU价格
KSD2012GTU价格:¥1.5426品牌:Fairchild
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KSD2012GTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD2012GTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD2012Y功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
KSD2012YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD2012YYDTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2