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JS28F256P30TFE | 256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | |
JS28F256P30TFE | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | |
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
256Mband512Mb(256Mb/256Mb),P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm) | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
256Mband512Mb(256Mb/256Mb),P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron | ||
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256Mband512Mb(256Mb/256Mb),P30-65nm | MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司 | Micron |
详细参数
- 型号:
JS28F256P30TFE
- 功能描述:
IC FLASH 256MBIT 56TSOP
- RoHS:
是
- 类别:
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列:
Axcell™
- 标准包装:
2,000
- 系列:
MoBL® 格式 -
- 存储器:
RAM
- 存储器类型:
SRAM - 异步
- 存储容量:
16M(2M x 8,1M x 16)
- 速度:
45ns
- 接口:
并联
- 电源电压:
2.2 V ~ 3.6 V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:
48-VFBGA
- 供应商设备封装:
48-VFBGA(6x8)
- 包装:
带卷(TR)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON |
19+ |
TSOP56 |
8567 |
询价 | |||
MICRON/镁光 |
23+ |
TSOP56 |
12500 |
专营美光原装现货 |
询价 | ||
micron(镁光) |
24+ |
标准封装 |
19048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
Micron |
2450+ |
TSOP |
6541 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
MICRON |
24+ |
TSOP-56 |
1100 |
MICRON专营原装进口现货 |
询价 | ||
MICRON/镁光 |
24+ |
TSO |
5800 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
询价 | ||
MICRON/镁光 |
24+ |
TSSOP56 |
13500 |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应, |
询价 | ||
MICRON/美光 |
2022+ |
TSO |
411 |
只做进口原装正品现货,开13%增值税票! |
询价 | ||
MICRON/镁光 |
19+/20+ |
TSOP56 |
9772 |
询价 | |||
MICRON |
22+ |
TSOP56 |
9035 |
原装正品,实单请联系 |
询价 |
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