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JS28F256P30BFE

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

JS28F256P30BFE

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

JS28F256P30BFF

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

JS28F256P30BFF

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

JS28F256P30BFA

Package:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

JS28F256P30BFF TR

Package:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    JS28F256P30BF

  • 功能描述:

    IC FLASH 256MBIT 56TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    Axcell™

  • 标准包装:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INTEL/英特尔
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更多JS28F256P30BF供应商 更新时间2025-7-12 12:19:00