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SW9N90B	文件：697.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWW9N90	文件：1.15268 Mbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSA9N90M	文件：1.63661 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI9A,900VN-CHANNELPLANARSTRIPEPOWERMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
TSM9N90	文件：429.8 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM9N90N-ChannelenhancementmodePowerMOSFETisproducedbyplanarstripeDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalanchea	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM9N90E	文件：882.53 Kbytes Page：8 Pages	900V,9A,1.4廓N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
WFF9N90	文件：286.9 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF9N90	文件：522.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFW9N90	文件：108.71 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWisdom’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyswitchmod	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFW9N90	文件：437.8 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingWinsemi’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithsta	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFW9N90W	文件：541.82 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingWinsemisproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

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