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JCS2N60UB-O-U-N-B

Marking:JCS2N60RB;Package:TO-252;N-CHANNEL MOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS2N60VB-O-V-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS2N60VC-O-V-N-B

MAINCHARACTERISTICS

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS2N60V-O-V-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS2N60V-R-V-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JMP2N60A

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司

PDF上传者:深圳市溢航科技有限公司

KF2N60D

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.0A •RDS(ON)=4.4Ω(Max)@VGS

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KF2N60D

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.0A •RDS(ON)=4.4Ω(Max)@VGS

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KF2N60D

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

KF2N60D/I

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.0A •RDS(ON)=4.4Ω(Max)@VGS

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

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更多JCS2N60U供应商 更新时间2025-7-13 13:00:00